【摘 要】
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本文根据硅CCD摄像器件的特点和要求,设计出一套可用来监控硅CCD工艺的测试图形,并把此套图形应用于实际的CCD工艺。实验分析其它工艺参数的同时,重点对存贮时间Tc和界面态密
【机 构】
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华北光电所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所工程师
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本文根据硅CCD摄像器件的特点和要求,设计出一套可用来监控硅CCD工艺的测试图形,并把此套图形应用于实际的CCD工艺。实验分析其它工艺参数的同时,重点对存贮时间Tc和界面态密度Nss进行了研究。认为工艺过程引起存贮时间的下降,是由于工艺诱生位错的影响,而工艺诱生位错主要由多晶硅层上二次栅氧化的界面应力所导致;认为界面态密度主要取决于栅氧化和退火工艺,与中间工序的关系不明显。整个实验表明,用微电子测试图形监控CCD工艺、分析器件失效,是可行可靠的。
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