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通过紫外-可见透射谱技术，计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值，研究了a-Si：H薄膜的厚度均匀性；通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析，研究了a-Si：H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统，ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀，是影响a-Si：H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法，采用HW-MWECRCVD系统，在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性〈3．5％的a-Si：H薄膜。