累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

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本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致“反印记效应”.研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持. In this paper, single-particle sensitivities of static random access memory (SRAM) at different cumulative doses were investigated by using 60Coγ source and Lanzhou heavy ion accelerator. The sensitivity of single-particle effect of SRAM devices under different cumulative doses was obtained. The mechanism of radiation damage is analyzed.The results show that as the accumulated dose increases, the leakage current of SRAM device increases, which affects the holding voltage of low level and the falling time of high level in the memory cell, resulting in “anti-imprint effect ”. The results provide technical support for the reliability analysis of aerospace devices in space radiation environment.
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