【摘 要】
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采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，用LP—MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构，测
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采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，用LP—MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构，测量了其白光反射谱，实验与模拟结果基本符合．制备了采用Al0.6Ga0.4As／AlAs复合DBR的LED器件，未封装输出光功率为2．3mw，外量子效率为5．6％，发光效率可达12 lm／W，比常规DBR器件提高了35％．验证了复合DBR与常规DBR相比，可以大幅度提高AAlGaInP红光LED的出
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