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本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应用展示了更广阔的前景.
用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲
【摘 要】
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本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度
【机 构】
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华北电力学院,中国科学院半导体所
【出 处】
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电子测量与仪器学报
【发表日期】
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1991年3期
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