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采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置，研究了入射光强度及光入射角对Ce：KNSBN晶体中光扇效应的影响．结果表明，光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性，入射光强度阈值为38．2mW／cm^2．对应相同的入射光强度，光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强，如：入射光强度为38．2mW／cm^2时，Ifsat最大为0．7mW／cm^2；入射光强度为57．3mW／cm^2时，Ifsat最大为1．8mW／cm^2．