【摘 要】
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GaN材料作为第三代半导体材料己成为短波长光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料,而难以获得高质量的p型GaN成为阻碍GaN器件进一步发展和应用的重要原因
【机 构】
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湖南大学电气与信息工程学院,邵阳职业技术学院机电工程系
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GaN材料作为第三代半导体材料己成为短波长光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料,而难以获得高质量的p型GaN成为阻碍GaN器件进一步发展和应用的重要原因。介绍了p型掺杂存在的问题,讨论了p型掺杂的激活方法和机理,综述了目前p型掺杂国内外的研究进展情况,最后指出了今后的研究方向。
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