【摘 要】
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研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜（PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数）在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低（〈0.2%）时各膜中的
【机 构】
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南京师范大学化学与环境科学学院,广岛大学工学研究科
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研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜（PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数）在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低（〈0.2%）时各膜中的载流子迁移率接近,几乎不受n的影响;随着膜的掺杂率的增加,各PSnT膜中的迁移率相继增大,n增大,迁移率在更低的掺杂率处开始增大,其增幅随着n的增加而增大.PS14T迁移率的增幅超过4个数量级,已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当,表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.
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