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本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱
【摘 要】
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本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
【机 构】
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厦门大学物理系,厦门,361005上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030;
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2002年2期
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