CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化

来源 :浙江大学学报(工学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:huaxf
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根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4GHz LNA基于中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明:在1.2V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4mW,噪声系数为1.0dB,功率增益为16.3dB,输入输出反射损耗均小于-22dB,三阶互调点IIP3为-3.2dBm.相比已有的设计,根据修正
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