【摘 要】
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基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位（双空位）缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响。结果表明：不同位置的单原子空位
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基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位（双空位）缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响。结果表明：不同位置的单原子空位（双原子空位）锯齿型硅纳米带,结构弛豫后,都能得到一个九边环（八边环）,同类缺陷更容易在锯齿型硅纳米带的边缘区域形成;与完整的锯齿型硅纳米带相比,中心位置含空位缺陷（单原子或双原子空位）的锯齿型硅纳米带由原有的反铁磁半导体转变为反铁磁金属;非中心位置含空位缺陷（单原子或双原子空位）的锯齿型硅纳米带则具有铁磁态金属性,在远离缺陷的纳米带边缘硅
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