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基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm，栅漏ININ为15μm时，得到的GaN HEMT器件击穿电压530V，最大电流密度536mA／mm。器件的特征通态电阻为1．54mΩ·cm^2，是相同击穿电压Si MOSFET器件特征通态电阻的二十五分之一。所制作的6mm栅宽器件击穿电压400V，输出电流2A。该器件的研制为制作低成本GaN HEMT功率器件奠定了基础