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用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的低温制备、结构和光电特性进行了研究，制备的薄膜为多晶膜，具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构，最佳取向为（１１１）方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为６．６３＊１０＾－４Ω．ｃｍ，透过率达到８２％。
柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究
【摘 要】
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用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的低温制备、结构和光电特性进行了研究，制备的薄膜为多晶膜，具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构，最佳取向为（１１１）方向。
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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山东省自然科学基金资助项目!(970 310 3)
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