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为提高MoSe_2的光电特性,以MoSe_2粉末为原料、采用化学气相沉积法（CVD）在Si衬底上沉积Ag掺杂的MoSe_2薄膜。测量并对比Ag掺杂前后MoSe_2薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性以及MoSe_2-Si异质结光电特性。结果表明：Ag掺杂并未改变MoSe_2薄膜的晶体结构且掺杂Ag后的MoSe_2的薄膜结晶度更好。掺杂后MoSe_2的薄膜的电子迁移率增大6倍,电导率有着显著提高,从而使MoSe_2的薄膜具有良好的伏安特性和光电响应。另外,还发现该Ag掺杂MoSe_2的薄膜对可见光有更强的吸