Formation of High-quality Advanced High-k Oxide Layers at Low Temperature by Excimer UV Lamp-assiste

来源 :高等学校化学研究：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rjviva

【摘要】

：

We have successfully demonstrated that high quality and high dielectric constant layers can be fabricated by low temperature photo-induced or -assisted processi

【作者】

：

YUJ.J.

【机构】

：

Electronic＆ElectricalEngineering

【出处】

：

高等学校化学研究：英文版

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

溶胶-凝胶法化学气相沉积电介质氧化物薄膜低温紫外线诱导合成 Excimer lamp High-kdielectrics Thin film

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We have successfully demonstrated that high quality and high dielectric constant layers can be fabricated by low temperature photo-induced or -assisted processing. Ta2O5 and ZrO2 have been deposited at t＜400 ℃by means of a UV photo-CVD technique and HfO2

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