论文部分内容阅读
强流脉冲离子束(HIPIB)方法以新的成膜机理通过高强度(约108W/cm2)，脉冲(约70ns)离子束照射到ITO陶瓷靶材上产生的高密度、高温二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上成功地制得ITO薄膜。经一次脉冲发射即可制得约65nm厚的膜。通过原子力显微镜(AFM)图象分析膜的表面形貌，膜的平整性与膜厚有直接关系，一次沉积的膜的平整度良好。