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对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.提出了多晶硅场板结构的终端理论和终端设计,使该器件既满足指标要求又能最低限度的降低成本.
低压VDMOSFET的设计与研制
【摘 要】
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对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.提出了多晶硅场板结构的终端理论和终端设计,
【机 构】
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辽宁大学物理学院
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2008年4期
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