【摘 要】
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实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6.4nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能
【基金项目】
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国家自然科学基金(51506106,11402180);中国博士后科学基金(2017M612225)
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实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6.4nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0h升到6h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,
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