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研究了制备硅纳米结构的方法，与之前的方法相比，本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度，同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺。实验结果表明，将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面，在300～1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率；电池的表面复合与电极接触需要改进。