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低环径比(LAR)聚变托卡马克可作为一种紧凑中子源,为聚变早期利用提供了有效途径.本文针对其关键部件中心导体提出新颖液态金属(LM)包铜中心导体柱设计结构,其结构由既可增殖氚又可降低导体辐照损伤的防护层和负载巨大电流(>10MA)的中心导体区组成.与常规中心导体柱(CCP)相比,其优势在于:防护区减小了铜导体的辐照损伤;提高了中子利用率及氚增殖率;优化结构的铜导体,保证了较低的欧姆损耗.