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用一台氩离子激光器控制显微化学反应演示了单晶和多晶泓的高分辨蚀刻。气相的Cl2或HCl用于靠表面加热和分子光解引发的反应中。得到了小于5微米的刻纹和高于5微米/秒的蚀刻速率。这种方法似乎马上可以适用于解决集成电路制造中的种种问题。
用于在硅上快速直接书写表面花纹的激光化学技术
【摘 要】
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用一台氩离子激光器控制显微化学反应演示了单晶和多晶泓的高分辨蚀刻。气相的Cl2或HCl用于靠表面加热和分子光解引发的反应中。得到了小于5微米的刻纹和高于5微米/秒的蚀刻速率。这种方法似乎马上可以适用于解决集成电路制造中的种种问题。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1982年19期
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