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文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时，CMOS反相器单粒子闩锁（SEL）特性的变化。通过对器件输出电平不同时，不同衬底的CMOS反相器进行仿真研究，我们得出，P衬底器件输出为高电平时比输出为低电平时得到的闩锁电流大，而N衬底器件在输出不同时，得到的闩锁电流大小相近。对于同种衬底的器件在输出不同时对SEL的敏感性几乎相同。在深亚微米的器件中，输出对器件SEL特性的影响均较大，需要在研究器件SEL特性时把其考虑在内。