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“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且，现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后，只需要将存储单元以三维形式叠加起来，就可以增大容量。”一家NAND闪存主要生产厂商的制造工程师表示。
大容量闪存正加速开发64G技术及新单元叠层方法出台
【摘 要】
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“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且，现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后，只需要将存储单元以三维形式叠加起来，就可以增大容量。”一家NAND闪存
【机 构】
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《日经电子》记者,不详
【出 处】
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电子设计应用
【发表日期】
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2007年9期
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