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基于重离子和脉冲激光与Si材料相互作用的机理分析，提出了脉冲激光能量等效重离子LET的等效判据。该判据认为：如果半导体材料每吸收1个光子就能产生1个载流子，则脉冲激光和重离子诱发1个载流子所需的能量是等效的。利用该等效判据及Beer定律，推导出线性吸收条件下脉冲激光能量与重离子LET之间等效换算公式。本工作计算的脉冲激光能量等效LET结果与国外文献结果一致。