论文部分内容阅读
测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱,这四种薄膜在光激发下都具有Er3+离子的1.54μm峰位.Er3+离子1.54μm的峰强度与薄膜的退火温度有关,这些薄膜都分别在600℃、700℃、800℃、900℃、1 000℃、1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的强度比不富硅薄膜的1.54μm峰强度要强.