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利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准。电路基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计，仿真结果表明：在5 V电源电压下，基准输出电压为1.258 V；在-40℃～125℃的温度范围内，温度系数为1.24×10^（-6）/℃；低频时电源抑制比PSRR为-68 dB；电源电压在3.5 V～6.5 V范围内工作，线性调整率为0.4 mV/V。适用于高精度带隙基准源。