【摘 要】
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实际上合成的TiS2,由于层间有过剩Ti,必定形成Ti1+xS2,向传输带输送电子,成为退化半导体。单层TiS2单晶在费米能级附近具有高的态密度,呈现高的功率因子,但其热导率高达6.8 W
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实际上合成的TiS2,由于层间有过剩Ti,必定形成Ti1+xS2,向传输带输送电子,成为退化半导体。单层TiS2单晶在费米能级附近具有高的态密度,呈现高的功率因子,但其热导率高达6.8 W/mK,达不到实际应用水平。日本名古屋大学万春磊等人通过夹人有机化合物制成的TiS2[(hexylamine)0.19(DMSO)0.35]和
In fact, TiS2 is synthesized, and Ti1 + xS2 is inevitably formed due to the excessive Ti in the layers, so that electrons are transferred to the transfer belt and become degraded semiconductors. Single-layer TiS2 single crystals have high density of states near the Fermi level and exhibit high power factor, but their thermal conductivity is as high as 6.8 W / mK, which can not reach the practical application level. Nagoya University, Japan, Wan Chunlei and others through the folder of organic compounds made of TiS2 [(hexylamine) 0.19 (DMSO) 0.35] and
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