制备工艺对ATO纳米棒形貌结构的影响

来源 :化学世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户:KurtJohns
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以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法成功制备了高含量棒状纳米级掺锑二氧化锡(ATO)导电粉体,研究了掺锑量、热处理温度及热处理时间对纳米棒形貌结构的影响.初步探讨了ATO纳米棒的形成机理,并用热重分析(TG)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、比表面法(BET)对棒结构进行了表征.
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图G(V,E)的一正常k-边染色f称为G(V,E)的一k-邻强边染色(简称k-ASEC)当且仅当任意uv∈E(G)满足f[u]≠f[v],其中f[u]={f(uw)|uw∈E(G)},并称Xas(G)=min{k|存在G的一k-ASEC}为G