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层状三元化合物Ti3SiC2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注．本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响，以期探讨Ti3SiC2作为核应用材料的可行性．结果表明Si一Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面．氢与氦都易在此原子层间聚集．氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂，而氢则对该临界应力影响不大．两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为．