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报告了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射，实验表明，该类材料在温度为２０－１５０Ｋ，光入射功率为４．５－６．０ｍＷ，观测到光荧光谱（ＰＬＳ）中强度和频移对移的多声子伴线，并讨论了它们的特性。
化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射
【摘 要】
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报告了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射，实验表明，该类材料在温度为２０－１５０Ｋ，光入射功率为４．５－６．０ｍＷ，观测到光荧光谱（ＰＬＳ）中强度和频移对移的多声子伴线，并讨论了它们的特性。
【机 构】
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武汉电信器件公司
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2000年4期
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