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采用微波等离子体化学气相沉积法，利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜。表征结果显示，制备的薄膜致密而均匀，晶粒平均尺寸约7．47nm，表面粗糙度约15．72nm，并且其金刚石相的物相纯度相对较高，是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料。
化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜
【摘 要】
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采用微波等离子体化学气相沉积法，利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜。表征结果显示，制备的薄膜致密而均匀，晶粒平均尺寸约7．47nm，表面
【机 构】
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西南科技大学材料学院,中国工程物理研究院应用电子学研究所
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2009年14期
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