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通过溶胶-凝胶方法在Si单晶片上制备了定向生长的双钙钛矿结构的巨磁电阻薄膜Sr2FeMoO6(SFMO)。X射线衍射结果表明,该SFMO薄膜在硅单晶片上成相情况较好,薄膜为多晶结构,晶格常数a=78.916nm、b=75.995nm、c=103.686nm。利用HP4284A型LCR测试仪测量了Si衬底上定向生长的Sr2FeMoO6薄膜样品的电容特性,并对比了试验结果与理论推导。