实现半导体激光倍频的有机新晶体——MHBA

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一种半导体激光倍频有机新晶体3-甲氧基4-羟基苯甲醛(MHBA),采用溶液降温法已培养出70mm×40mm×15mm的大单晶,实现了对808—817nm的半导体激光倍频的紫光(404—408.5nm)输出,在809nm处,获得了连续功率为3μW的404.5nm的紫光输出。 A semiconductor laser double crystal organic new crystal 3-methoxy 4-hydroxybenzaldehyde (MHBA), using solution cooling method has been produced 70mm × 40mm × 15mm large single crystal, to achieve a 808-817nm semiconductor laser times Frequency (404-408.5 nm) output at 405 nm, a 404.5 nm violet output with a continuous power of 3 μW was obtained.
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