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真空紫外光直接光CVD SiO2膜的偏压温度处理
真空紫外光直接光CVD SiO2膜的偏压温度处理
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dsclq
【摘 要】
:
对真空紫上光直接光CVD法制备的SiO2膜进行温度偏压处理,测量了处理前后物高频C-V特性曲线,计算出可动离子数为2×10^11cm^-2。处理后的特性曲线有明显的滞后效应,其滞后方向与极化效应的方向相同
【作 者】
:
谢茂浓
杜开瑛
【机 构】
:
四川联合大学物理系
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1998年3期
【关键词】
:
温度偏压处理
CVD法
二氧化硅
Treatment of bias temperatureMobile ionLagging effectPolarized
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对真空紫上光直接光CVD法制备的SiO2膜进行温度偏压处理,测量了处理前后物高频C-V特性曲线,计算出可动离子数为2×10^11cm^-2。处理后的特性曲线有明显的滞后效应,其滞后方向与极化效应的方向相同,其等效极化电荷数为2 ̄5×10^11cm^-2。
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