真空紫外光直接光CVD SiO2膜的偏压温度处理

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对真空紫上光直接光CVD法制备的SiO2膜进行温度偏压处理,测量了处理前后物高频C-V特性曲线,计算出可动离子数为2×10^11cm^-2。处理后的特性曲线有明显的滞后效应,其滞后方向与极化效应的方向相同,其等效极化电荷数为2 ̄5×10^11cm^-2。
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