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采用溶胶凝胶（sol—gel）法，在普通栽玻片和Si—SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜．利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）及光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和光学特性进行表征．XRD谱表明大部分样品都有较好的C轴择优取向，而且随着退火温度的升高择优取向明显改善．PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰，退火温度升高能够提高本征发光峰强度，抑制可见光区发光强度．用AFM观察到的样品表面形貌表明，退火温度提高使样品表面更加平整，同时粒径变大．