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利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｒａｍａｎ光谱分析了Ｓｉ衬底上金刚石膜核化和生长的过程，并着重分析了核化过程产生的ＳｉＣ的性能。利用划痕法测量了ＷＣ衬底上沉积ＳｉＣ和未沉积ＳｉＣ时生长金刚石膜的粘附力，同时还分析了ＷＣ半底上有和没有ＳｉＣ沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明，ＳｉＣ层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性，降低了金刚石膜与衬底之间的内应力。