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随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展，等离子体充电对制造工艺造成的影响，尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著．本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应，设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件，并有不同的天线比．设计结构简单、完全工艺兼容，测试结果直观、测量灵敏度高等优点，实现了等离子体损伤芯片级工艺监控．测试分析表明，不同的膜层结构，等离子体损伤程度不同，当天线比大于10^3以后，充电损伤变得明显．同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节，为优化制造工艺，提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力