【摘 要】
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用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出（Al,Zr）共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下
【机 构】
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北京京东方光电科技有限公司,北京科技大学冶金与生态工程学院
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用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出（Al,Zr）共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有（002）单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10^-2Ω·cm,且可见光段（320～800nm）平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对（Al,Zr）共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10^-3Ω·cm。Zr杂
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