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采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层，然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中，对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响，在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射，并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明，随着退火温度的升高，施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中，观察到较为明