溅射功率和淀积时间对MgxZn1-x O薄膜结构特性的影响

来源 :山东大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjfalx

【摘要】

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用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出MgxZn1-xO薄膜,研究了溅射功率和淀积时间对薄膜结构特性的影响.X射线衍射(XRD)谱和原子力显微镜(AFM)图像表明:MgxZn1-xO薄膜为六角纤锌矿

【作者】

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张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰

【机构】

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山东大学

【出处】

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山东大学学报(理学版)

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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MgxZn1-x O薄膜射频磁控溅射 XRD AFM Mg_xZn_ 1-xO filmsradio frequency magnetron sputteri

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用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出MgxZn1-xO薄膜,研究了溅射功率和淀积时间对薄膜结构特性的影响.X射线衍射(XRD)谱和原子力显微镜(AFM)图像表明:MgxZn1-xO薄膜为六角纤锌矿结构,且具有非常好的沿垂直于衬底的c轴的择优取向.随着溅射功率和淀积时间的增加,X射线衍射峰的衍射角变大,半高宽(FWHM)减小,平均晶粒尺寸增加,薄膜结晶质量显著提高.

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