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实验研究了Bi203掺杂量对钛酸锶钡，氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响。结果表明控制掺杂Bi203质量分数在0．25％左右时，Ku频段厂在12～18GHz，εr为170左右，tan εδ为0．01左右，材料的电性能得到大大的改善，满足了雷达移相器的应用要求。
新型低插损的铁电移相材料
【摘 要】
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实验研究了Bi203掺杂量对钛酸锶钡，氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响。结果表明控制掺杂Bi203质量分数在0．25％左右时，Ku频段厂在12～18GHz，εr为170左右，tan εδ为0．01
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2007年2期
【基金项目】
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国防预研资助项目
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