聚(3,4-乙撑二氧噻吩)的二次掺杂改性研究

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利用乙二醇(EG)对聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)进行二次掺杂改性,考察了二次掺杂PEDOT薄膜的电学性能、表面形貌和分子组成,并且对PEDOT的二次掺杂改性机理进行了探讨。研究发现,未进行二次掺杂时,PEDOT导电颗粒因被绝缘的聚苯磺酸(PSS)包埋而不能彼此接触,电荷在PEDOT薄膜中的传导由隧道效应占主导,薄膜的电导率较低。二次掺杂后,PEDOT与PSS发生相分离,同时PSS的相对含量降低,PEDOT导电颗粒间形成导电通道,薄膜的电导率较高。 The secondary doping modification of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) was carried out with ethylene glycol (EG). The electrical properties, surface morphology and molecular composition of secondary doped PEDOT films were investigated. The mechanism of secondary doping modification of PEDOT was also discussed. The results show that PEDOT particles can not contact with each other due to the entrapped polysulfonic acid (PSS) during the secondary doping. The conduction of the charge in the PEDOT film is dominated by the tunneling effect. The electrical conductivity of the film low. After secondary doping, PEDOT and PSS phase separation, while the relative content of PSS decreased, PEDOT conductive particles to form conductive channels, the conductivity of the film is higher.
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