【摘 要】
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设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时
【机 构】
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杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州电子科技大学微电子CAD研究所 杭州310018,杭州310018,杭州310018
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设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.
A novel SOI LDMOSFET with open silicon under the gate is designed and fabricated. The device has good DC and RF characteristics. The output curve is smooth and has no obvious kink effect. The static breakdown voltage is 13V. As the gate-drain bias voltage is 3.6V, the cut-off frequency is 6GHz. The load-pull test shows that the PAE is 50% and the output power is 27dBm at 1.5GHz, which indicates that the device is suitable for RF power amplifier applications.
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