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,Temperature dependences of Raman scattering in different types of GaN epilayers
【作 者】
:
【机 构】
:
Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian Univers
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2012年2期
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