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对用液相外延生长的GaInAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、缓变波导及亥姆霍兹方程严格远场解三种理论的分析比较，得出了描述GaInAsP/GaAs半导体激光器远场分布的最佳模型。
GalnAsP/GaAs半导体激光器远场特性研究
【摘 要】
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对用液相外延生长的GaInAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、缓变波导及亥姆霍兹方程严格远场解三种理论
【机 构】
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长春光学精密机械学院电教中心,长春光学精密机械学院重点实验室
【出 处】
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长春光学精密机械学院学报
【发表日期】
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2000年3期
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