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本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSb薄膜制备的红外探测器相比较，用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外，MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂，可以获得P型和n型薄膜，薄膜的电阻率明显下降；将薄膜厚度减小到14nm后，塞贝克系数在483K时可达-967μV·K^-1。