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以W（CO）6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W（CO）6热解温度、W（CO）6气化温度及载气（高纯氢气）的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备W薄膜的最佳工艺参数：热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。