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采用直流磁控溅射方法在P型（100）Si衬底上制备了Cu／Ta、Cu／Ta-N和Cu／Ta-Al-N复合膜，并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征，并对N和Al的掺杂机理进行了讨论。实验结果表明，Ta、Ta—N和Ta—Al—N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强，Ta／Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu。Si共同导致了Ta阻挡层的失效，而Cu通过Ta—N和