【摘 要】
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采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理。利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化;用X射线衍射（XRD）,拉曼（Raman）光谱和扫描电子
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理。利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化;用X射线衍射（XRD）,拉曼（Raman）光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系;利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性。研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现。随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7%。同时,硼掺杂硅薄
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