Si（337）表面的STM研究

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【摘要】

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利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构,发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关,相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完

【作者】

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万维强申自勇柏亚军侯士敏赵兴钰刘惟敏薛增泉

【机构】

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北京大学电子学系

【出处】

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真空科学与技术

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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Si(337) 高指数面扫描隧道显微镜 Annealing Nanostructured materials Scanning tunneling micro

【基金项目】

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国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)

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利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构,发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关,相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完整的平台.高分辨STM结果显示Si(337)表面平台原子结构为(5 5 12)的周期性结构,表明Si(337)表面退火过程中稳定性较差,易重构成临近的更稳定的高指数面.

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